Pat

J-GLOBAL ID：200903058597603448

テンプレート及びパターン形成方法

Inventor： 米田 郁男 ,  三上 信二 ,  太田 拓見 ,  中杉 哲郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (22)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008155611
Publication number (International publication number)：2009298041
Application date： Jun. 13, 2008
Publication date： Dec. 24, 2009
Summary：

【課題】ナノインプリント材料層に転写されたパターンの位置精度を高めることが可能なテンプレート及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】テンプレート110は、基板111と、基板に形成された素子パターンと、基板上又は基板内部に形成された光吸収部115とを備える。ナノインプリント材料層に素子パターンを転写する工程の前又は最中に、前記光吸収部に照射光を照射して前記テンプレートを熱膨張させることで前記素子パターンの位置を変位させることを特徴とするパターン形成方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板に形成された素子パターンと、 前記基板上又は前記基板内部に形成された光吸収部と、 を備えたことを特徴とするテンプレート。

IPC (3)：

B29C 59/02 ,  H01L 21/027 ,  B29C 33/38

FI (3)：

B29C59/02 B ,  H01L21/30 502D ,  B29C33/38

F-Term (28)：

4F202AF01 ,  4F202AG01 ,  4F202AG05 ,  4F202AJ02 ,  4F202AJ06 ,  4F202AJ09 ,  4F202AJ11 ,  4F202AR07 ,  4F202CA19 ,  4F202CB29 ,  4F202CD23 ,  4F202CK11 ,  4F202CK43 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AG21 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209AJ08 ,  4F209AJ11 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28 ,  5F046DA06 ,  5F046DA26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• パタ-ン形成方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-370629   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (1)

• 光学素子の製造方法および光学素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-394149   Applicant：松下電工株式会社