セラミックス誘電体膜の形成方法、セラミックス誘電体膜/基板の積層構造体、及び電気-機械変換素子

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Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：高野明近 (外2名) , 高野明近 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999334186
Publication number (International publication number)：2001152360
Application date： Nov. 25, 1999
Publication date： Jun. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】超微粒子をノズルを介して基板に噴射させて膜を形成するガスデポジション法において、各種成膜条件の最適化を図ることにより、安定した膜質を提供する。【解決手段】ガスデポジション法における膜体積原理を解明し、各工程における成膜条件を抽出してその最適化を行った。ガスデポジション法は、真空槽50の内部でセラミックス粉体を含むエアロゾルをノズル54から噴射させ、マスク53のパターン開口を通して基板ホルダ52に保持された基板に対して膜形成を行うもので、本願では、各工程の最適化条件として、セラミックス粉体の形状特性,エアロゾル形成室30における圧力及び配管構成,成膜室におけるエアロゾルの噴射速度,成膜室50における圧力,成膜用の基板の素材と基板温度,基板厚さ,形成する膜の膜圧,セラミックス粉体の素材,膜形成したセラミックス膜への後処理条件等を抽出し、各条件において最適範囲を提供する。

Claim (excerpt)：

基板上にガスデポジション法を用いてセラミックス誘電体膜を形成する方法において、膜形成を行うセラミックス誘電体として、比表面積が1.0〜10m2/g、または光散乱法より求められる平均粒径が0.1〜2μm、または走査型電子顕微鏡観察により求められる平均粒径が0.08〜1.2μmの値を有するセラミックス粉体を用いることを特徴とするセラミックス誘電体膜の形成方法。

IPC (2)：

C23C 24/00 , H01L 41/09

FI (2)：

C23C 24/00 , H01L 41/08 C

F-Term (10)：

4K044AA03 , 4K044AA06 , 4K044AA11 , 4K044AA13 , 4K044BA12 , 4K044BA13 , 4K044BC14 , 4K044CA23 , 4K044CA25 , 4K044CA62

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-188503
インクジェット記録ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-041481 Applicant：富士電機株式会社
微細造形方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-027162 Applicant：工業技術院長

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