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J-GLOBAL ID：200903058759202345

凹凸電極の製造方法及び光起電力素子の製造方法並びに光起電力素子

Inventor： 篠原 亘 ,  橋本 治寿 ,  武田 勝利
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998060908
Publication number (International publication number)：1999261092
Application date： Mar. 12, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 この発明は、光閉じ込め効果に最適な凹凸を有する凹凸電極及びそれを備えた光起電力素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に透明電極2、非晶質半導体層3、4、5及び金属電極8を順次形成してなる光起電力素子の製造方法であって、前記非晶質半導体層5にエネルギービームを照射し、非晶質半導体層5の一部に結晶核領域を形成した結晶粒径制御層6を形成した後、この結晶粒径制御層6上に凹凸形状を有する透明電極7を形成し、この透明電極7上に凹凸形状を有する金属電極8を形成する。

Claim (excerpt)：

表面に凹凸形状を有する凹凸電極を形成する凹凸電極の製造方法であって、非晶質半導体層にエネルギービームを照射し、前記非晶質半導体層の一部に結晶核領域を形成した後、前記非晶質半導体層上に結晶性電極を形成することで表面に凹凸形状を有する凹凸電極を形成することを特徴とする凹凸電極の製造方法。

FI (2)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 薄膜太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-065863   Applicant：株式会社日立製作所
• 薄膜太陽電池とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-091033   Applicant：株式会社日立製作所
• 光起電力装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-243271   Applicant：三洋電機株式会社