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J-GLOBAL ID：200903058798740389

マグネティックシェープメモリー合金

Inventor： 河野 龍興 ,  桜田 新哉 ,  小林 剛史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000091022
Publication number (International publication number)：2001279357
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 結晶変態の際に生じる歪み率および変位量が大きいマグネティックシェープメモリー合金を提供する。【解決手段】 一般式M1<SB>2-X</SB>M2<SB>Y</SB>M3<SB>Z</SB>(ここで、M1はNi,Cuから選ばれる少なくとも1種、M2はMn,Sn,Ti,Sbから選ばれる少なくとも1種、M3はM1およびM2を除き、電気陰性度が1.0以上の元素から選ばれる少なくとも1種からなり、0<X≦0.5、0<Y≦1.5、0<Z≦1.5を満たす)で表され、かつ結晶構造が空間群Fm-3mに属し、外部磁場により形状が変化するマグネティックシェープメモリー合金。

Claim (excerpt)：

下記一般式M1<SB>2-X</SB>M2<SB>Y</SB>M3<SB>Z</SB>(ここで、M1はNi,Cuから選ばれる少なくとも1種、M2はMn,Sn,Ti,Sbから選ばれる少なくとも1種、M3はM1およびM2を除き、電気陰性度が1.0以上の元素から選ばれる少なくとも1種からなり、0<X≦0.5、0<Y≦1.5、0<Z≦1.5を満たす)で表され、かつ結晶構造が空間群Fm-3mに属し、外部磁場により形状が変化することを特徴とするマグネティックシェープメモリー合金。

IPC (2)：

C22C 19/03 ,  C22K 1:00

FI (2)：

C22C 19/03 A ,  C22K 1:00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• NiMnGa合金
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-067046   Applicant：株式会社トーキン
• Ni-Mn-Ga系形状記憶合金とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-089128   Applicant：株式会社トーキン, 高木敏行