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J-GLOBAL ID：200903067027961692

Ni-Mn-Ga系形状記憶合金とその製造方法

Inventor： 内山 博昭 ,  山内 清 ,  高木 敏行 ,  三木 寛之 ,  大塚 誠 ,  松本 實
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン ,  ▲高▼木 敏行
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000089128
Publication number (International publication number)：2001279356
Application date： Mar. 28, 2000
Publication date： Oct. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 多結晶体であって、Ni-Mn-Ga系合金の本来的な形状記憶効果を損なわずに脆さの改善を行うことができるNi-Mn-Ga系形状記憶合金とその製造方法とを提供すること。【解決手段】 Ni-Mn-Ga系形状記憶合金は、Ni-Mn-Ga系合金であって、(220)面の結晶配向性を有し、かつ柱状組織ではあるが、実質的に明瞭な結晶粒界を持たない規則的な原子配列を備えている。

Claim (excerpt)：

Ni-Mn-Ga系合金であって、(220)面の結晶配向性を有し、かつ柱状組織ではあるが、実質的に明瞭な結晶粒界を持たない規則的な原子配列を備えていることを特徴とするNi-Mn-Ga系形状記憶合金。

IPC (9)：

C22C 19/00 ,  C22F 1/10 ,  C23C 14/14 ,  C30B 29/52 ,  C22F 1/00 601 ,  C22F 1/00 630 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 691 ,  C22K 1:00

FI (9)：

C22C 19/00 L ,  C22F 1/10 G ,  C23C 14/14 Z ,  C30B 29/52 ,  C22F 1/00 601 ,  C22F 1/00 630 L ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 691 B ,  C22K 1:00

F-Term (12)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BA08 ,  4G077DA11 ,  4G077FE11 ,  4K029BA25 ,  4K029BB08 ,  4K029BC00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  4K029GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• NiMnGa合金
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-067046   Applicant：株式会社トーキン
• Ti-Ni形状記憶合金薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-230368   Applicant：坂本英和, 昭和電線電纜株式会社
• 形状記憶合金薄膜アクチュエータ及びその製造方法、並びに光偏向器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-247225   Applicant：オリンパス光学工業株式会社

Cited by examiner (3)

• NiMnGa合金
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-067046   Applicant：株式会社トーキン
• Ti-Ni形状記憶合金薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-230368   Applicant：坂本英和, 昭和電線電纜株式会社
• 形状記憶合金薄膜アクチュエータ及びその製造方法、並びに光偏向器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-247225   Applicant：オリンパス光学工業株式会社