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J-GLOBAL ID：200903058809643330

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置

Inventor： 水口 徹也 ,  別所 和宏
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001396212
Publication number (International publication number)：2003198003
Application date： Dec. 27, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子が備える自由層について、薄膜化による障害等を伴うことなく、その自由層の保磁力増大の抑制を可能とし、これにより情報書き込み時の低消費電力化を実現可能とする【解決手段】 磁化方向の反転が可能な自由層16を備え、当該自由層16における磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気抵抗効果素子において、前記自由層16を少なくとも二層からなる積層構造とする。そして、その積層構造は、少なくとも一層が強磁性体からなる強磁性体層16aであり、他の少なくとも一層が当該強磁性体層16aよりも小さい飽和磁化の低飽和磁化強磁性体層16bであるようにする。

Claim (excerpt)：

磁化方向の反転が可能な自由層を備え、当該自由層における磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気抵抗効果素子において、前記自由層は、少なくとも二層からなる積層構造を有しており、前記積層構造は、少なくとも一層が強磁性体からなる強磁性体層であり、他の少なくとも一層が当該強磁性体層よりも小さい飽和磁化の低飽和磁化強磁性体層であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

F-Term (7)：

5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-024805   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 磁気抵抗効果素子と、それを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生ヘッドおよび磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-229736   Applicant：株式会社東芝
• 多層磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-059615   Applicant：ソニー株式会社
• スピンバルブ型薄膜磁気素子及びこれを用いた薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-060753   Applicant：アルプス電気株式会社