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J-GLOBAL ID:200903058855503933
薄膜形成方法及びCVD装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002366924
Publication number (International publication number):2004197159
Application date: Dec. 18, 2002
Publication date: Jul. 15, 2004
Summary:
【課題】酸化物の薄膜を、真空を用いることなく、且つ従来よりも低温で被処理基板上に形成することができる方法及びそのためのCVD装置を提供する。【解決手段】本発明のCVD装置は、雰囲気調整が可能な反応室10、その中に配置され熱分解反応の原料が収容される原料気化槽7、処理対象の基板6を原料気化槽7の上方にこれに近接させて保持するサセプタ2、基板6の温度を制御するヒータ3などから構成される。処理対象の基板6を加熱し、基板6からの放射熱により前記原料を加熱し気化させて、基板6上で熱分解反応を生じさせ、これによって、基板6上に熱分解反応による生成物からなる薄膜を堆積させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
熱分解反応の原料を原料気化槽の中に収容し、
この原料気化槽の上方に、原料気化槽に近接させて被処理基板を保持し、
前記被処理基板を加熱し、前記被処理基板からの放射熱により前記原料を加熱し気化させて、前記被処理基板上で熱分解反応を生じさせ、
これによって、熱分解反応による生成物からなる薄膜を前記被処理基板上に堆積させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (22):
4G075AA30
, 4G075BA05
, 4G075BC04
, 4G075BD14
, 4G075CA02
, 4G075CA57
, 4G075CA66
, 4G075EB01
, 4K030AA11
, 4K030BA42
, 4K030BA47
, 4K030CA07
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030JA03
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030KA22
, 4K030KA23
, 4K030LA15
, 4K030LA18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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薄膜形成方法、および電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-398535
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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光導電部材及びその製造方法並びに電子写真用感光体、光センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-350014
Applicant:東北リコー株式会社
-
蒸着装置および蒸着方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-052507
Applicant:カシオ計算機株式会社
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