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J-GLOBAL ID：200903058877430204

プラズマ処理装置および半導体製造装置

Inventor： 大見 忠弘 ,  平山 昌樹 ,  須川 成利 ,  後藤 哲也
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘 ,  東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001094273
Publication number (International publication number)：2002299330
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ラジアルスロットラインアンテナを使ったマイクロ波プラズマ処理装置において、シャワープレートの冷却効率を最適化し、同時にマイクロ波の励起効率を最適化する。【解決手段】 ラジアルラインスロットアンテナの放射面を、処理室外壁の一部を構成し、シャワープレートに密接したカバープレートに密接させ、さらにラジアルラインスロットアンテナ上に、処理室外壁中を厚さ方向に流れる熱流を吸収するように冷却器を設ける。

Claim (excerpt)：

外壁により画成され、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器に結合された排気系と、前記処理容器上に、前記保持台上の被処理基板に対面するように、前記外壁の一部として設けられ、プラズマガス通路と前記プラズマガス通路に連通する複数の開口部とを有し第1の側において前記保持台上の被処理基板と対面するシャワープレートと、前記シャワープレートの前記第1の側に対向する第2の側に設けられたカバープレートとよりなるプラズマガス供給部と、前記処理容器上に、前記プラズマガス供給部に対応して、前記カバープレートに密接するように設けられたマイクロ波アンテナと、前記マイクロ波アンテナに電気的に結合されたマイクロ波電源とよりなり、前記マイクロ波アンテナは、前記プラズマガス供給部のカバープレートに接触しマイクロ波の放射面を形成する第1の外表面と、前記第1の外表面に対向する第2の外表面とにより画成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/31 C ,  B01J 19/08 E ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

F-Term (32)：

4G075AA22 ,  4G075BD14 ,  4G075CA03 ,  4G075CA25 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075CA65 ,  4G075DA01 ,  4G075EB42 ,  4G075FB04 ,  4G075FC11 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F004DA22 ,  5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC17 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-023454   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 安藤真, 後藤尚久
• マイクロ波プラズマ処理装置及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-085675   Applicant：東京エレクトロン株式会社