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J-GLOBAL ID：200903004786781311

マイクロ波プラズマ処理装置及び方法

Inventor：
本郷 俊明

About 本郷 俊明


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 藤元 亮輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999085675
Publication number (International publication number)：2000277508
Application date： Mar. 29, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、処理媒体の品質を維持しつつプラズマ熱の弊害を除去すると共にプラズマ熱に弱い部材が複数存在する場合にそれらを簡易に温度制御することを可能にするマイクロ波プラズマ処理装置及び方法を提供することを例示的な目的とする。【解決手段】 熱伝導率の高い遅波材と多孔スロット電極を接触させ、遅波材の温度を制御することによって多孔スロット電極の温度も同時に制御することとして。また、処理室の温度は所定の処理温度を維持できるように独立に温度制御した。
Claim (excerpt)：
マイクロ波が導入されると当該マイクロ波の波長を短縮する波長短縮部材と、当該波長短縮部材に接続され、前記波長短縮部材を通過した前記マイクロ波を案内するスロット電極と、前記波長短縮部材及び前記スロット電極の温度を制御することができる第1の温度制御装置と、反応ガスを供給する反応ガス源及び真空ポンプに接続可能で被処理体を収納することができ、前記スロット電極を通過した前記マイクロ波と前記反応ガスが供給されると、減圧環境下で前記被処理体に所定の処理を施すことができる処理室とを有するマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (5)：
H01L 21/31 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (5)：
H01L 21/31 C ,  B01J 19/08 E ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 B
F-Term (37)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA63 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA26 ,  4G075CA48 ,  4G075EB41 ,  4G075FC07 ,  4G075FC15 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA14 ,  4K030KA22 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K030KA45 ,  4K057DA20 ,  4K057DG02 ,  4K057DG20 ,  4K057DM29 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F045AA09 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD04 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK21 ,  5F045EM05 ,  5F045GB15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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