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J-GLOBAL ID：200903058913352207

半導体部材の製造方法および半導体部材

Inventor： 坂口 清文 ,  山方 憲二 ,  西田 彰志 ,  米原 隆夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997346408
Publication number (International publication number)：1998233352
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 基板の再利用を可能しつつ、基板割れを防止でき、容易な方法で半導体部材を得るのが困難。【解決手段】 多孔質半導体層102を有して構成される基板101上にフィルム103を貼り付ける工程、フィルム103を基板101から剥がす方向の力をフィルム103に加えることにより基板101を多孔質層102において分離する工程、を有する。

Claim (excerpt)：

多孔質半導体層を有して構成される基板上にフィルムを貼り付ける工程、前記フィルムを前記基板から剥がす方向の力を前記フィルムに加えることにより前記基板を前記多孔質層において分離する工程、を有することを特徴とする半導体部材の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/04

FI (6)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 基体から素子形成層を分離する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-037655   Applicant：ソニー株式会社
• 太陽電池及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-217168   Applicant：キヤノン株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-246594   Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク