Pat
J-GLOBAL ID：200903058936832370

エレクトロルミネッセンス素子とエレクトロルミネッセンス表示装置

Inventor：
中村 年孝

About 中村 年孝

, 
十二 紀行

About 十二 紀行

, 
藤井 宏中

About 藤井 宏中


Applicant, Patent owner：
日東電工株式会社

About 日東電工株式会社


Agent (1)： 祢▲ぎ▼元 邦夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004138837
Publication number (International publication number)：2005322489
Application date： May. 07, 2004
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：
【課題】 発光効率の向上および外光反射防止がはかれ、そのうえモアレ縞などがなく、視認性にすぐれた有機EL素子を提供する。【解決手段】 発光層3からの光を取り出す光取り出し面側に位置する透明電極4の外側に円偏光フィルタ2を設け、光取り出し面側に位置する透明電極4と円偏光フィルタ2との間に偏光状態維持可能で光の反射・伝送角に乱れを生じさせる領域3を配置するとともに、上記領域3を経た光が円偏光フィルタ2を通過するまでの間に実質的に偏光状態維持可能な光拡散層7を設けて、有機EL素子を構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
支持基坂上に発光層を陰極と陽極との両電極間に挟持して設けたエレクトロルミネッセンス素子において、発光層からの光を取り出す光取り出し面側に位置する電極の外側に円偏光フィルタを設けるとともに、光取り出し面側に位置する電極と円偏光フィルタとの間に実質的に偏光状態維持可能な光の反射・伝送角に乱れを生じさせる領域を配置し、さらに光の反射・伝送角に乱れを生じさせる領域を経た光が円偏光フィルタを通過するまでの間に実質的に偏光状態維持可能な光拡散層を設けたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2)：
H05B33/02 ,  H05B33/14
FI (2)：
H05B33/02 ,  H05B33/14 A
F-Term (4)：
3K007AB03 ,  3K007AB17 ,  3K007BB06 ,  3K007DB03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM