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J-GLOBAL ID：200903058992843423

磁気抵抗記憶素子及びその製造方法

Inventor：
金 亨俊

About 金 亨俊


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (2)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003313271
Publication number (International publication number)：2004111961
Application date： Sep. 04, 2003
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】磁気抵抗記憶素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】磁気抵抗記憶セルの側壁に磁気集束スペーサを形成する。これによって、ビットライン及びデジットラインにより発生した磁場が前記磁気集束スペーサに集束し、前記磁気抵抗記憶セルに効率的に伝達する。また前記磁気抵抗記憶セルを囲む層間絶縁膜を高透磁率の磁性膜で形成して磁場の伝達をさらに効果的にすることができる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
絶縁膜を挟んで半導体基板上に配置された導電膜パターンと、 前記導電膜パターン上に配置された磁気抵抗記憶セルと、 前記絶縁膜上に配置されて前記磁気抵抗記憶セルを囲む層間絶縁膜とを含み、 前記層間絶縁膜は高透磁率の磁性膜であることを特徴とする磁気抵抗記憶素子。
IPC (4)：
H01L27/105 ,  H01F10/20 ,  H01F41/14 ,  H01L43/08
FI (4)：
H01L27/10 447 ,  H01F10/20 ,  H01F41/14 ,  H01L43/08 Z
F-Term (14)：
5E049AB03 ,  5E049AC05 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR10 ,  5F083PR29 ,  5F083PR39
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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