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J-GLOBAL ID:200903058996645910
物品表面処理方法及び装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
谷川 昌夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997005468
Publication number (International publication number):1998204636
Application date: Jan. 16, 1997
Publication date: Aug. 04, 1998
Summary:
【要約】【課題】 被処理物品表面の一部が電気絶縁性材料で覆われている場合や浮動電位にある場合にも、該物品に損傷を与えることなく、導電性材料からなる部分に均一に表面処理を施すことができる表面処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内に設けた被処理物品支持電極2に被処理物品Sを支持させ、容器1内に物品Sの目的とする処理に応じた処理用ガスを導入し、所定真空状態下で、物品支持電極2と電気的に絶縁された電極7に、10MHz〜200MHzの範囲の所定周波数の基本高周波電力にこの所定周波数の1000分の1〜10分の1の範囲の変調周波数で振幅変調を施した状態の振幅変調高周波電力を供給してこのガスをプラズマ化するとともに、物品支持電極2に正のパルス電圧を印加して、電極2に支持される被処理物品S表面の処理を行う物品表面処理方法及び装置。
Claim (excerpt):
真空容器内に設けた被処理物品支持電極に被処理物品を支持させ、該容器内に該物品への目的とする処理に応じた処理用ガスを導入し、所定真空状態下で、該物品支持電極と電気的に絶縁された電極に、10MHz〜200MHzの範囲の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の1000分の1〜10分の1の範囲の変調周波数で振幅変調を施した状態の振幅変調高周波電力を供給して該ガスをプラズマ化するとともに、該物品支持電極に正のパルス電圧を印加して、該物品支持電極に支持される被処理物品表面の処理を行うことを特徴とする物品表面処理方法。
IPC (6):
C23C 14/48
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
FI (6):
C23C 14/48 Z
, C23F 4/00 A
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H05H 1/46 A
, H01L 21/302 J
Patent cited by the Patent: