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J-GLOBAL ID：200903067498387953

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： 久保田 正文 ,  林 重徳 ,  山中 通成 ,  服藤 憲司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996232987
Publication number (International publication number)：1998079372
Application date： Sep. 03, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 チャージアップの起きないプラズマ処理の実現。【解決手段】 チャンバー1に供給された反応ガスを、チャンバー1に間欠的に、ないしは高低レベルを交互に繰り返しつつ供給される高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマでチャンバー1の試料Aを加工したうえで、高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給期間に同期して正となるパルス状バイアス電圧を試料に印加することで、チャージアップを防いだ。

Claim (excerpt)：

真空室に供給された反応ガスを、前記真空室に間欠的に、ないしは高低レベルを交互に繰り返しつつ供給される高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマで前記真空室内の試料を加工するプラズマ処理方法であって、前記高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給期間に同期して正となるパルス状バイアス電圧を試料に印加することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (6)：

H01L 21/302 A ,  C23C 14/34 S ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• プラズマエッチング方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-248583   Applicant：国際電気株式会社, 堀池靖浩
• 特開平3-263827
  
• 表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-244688   Applicant：アネルバ株式会社
• プラズマエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-175090   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平1-100923