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J-GLOBAL ID：200903059030180232

積層体

Inventor：
尾上 誠一

About 尾上 誠一


Applicant, Patent owner：
エスケー化研株式会社

About エスケー化研株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003351398
Publication number (International publication number)：2005116415
Application date： Oct. 09, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：
【課題】0°C〜300°Cという低温領域で製造でき、かつ、十分な基板付着性を有する半導体電極用積層体を提供する。【解決手段】導電性基板上に酸化チタン薄膜が形成された積層体において、酸化チタン薄膜を、60〜99重量%の酸化チタン粒子と1〜40重量%の水酸化チタンによって形成させる。酸化チタン薄膜を形成させる際には、水酸化チタン及び/または水酸化チタン前躯体を含むpH0.5〜3.0の水系媒体に、一次粒子径1〜200nmのアナターゼ型酸化チタン粒子が分散された混合液を、導電性基板に塗布し0〜300°Cで乾燥させる。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
導電性基板上に酸化チタン薄膜が形成された積層体であって、 該酸化チタン薄膜が、60〜99重量%の酸化チタン粒子と1〜40重量%の水酸化チタンによって形成されていることを特徴とする積層体。
IPC (3)：
H01M14/00 ,  C23C30/00 ,  H01L31/04
FI (3)：
H01M14/00 P ,  C23C30/00 C ,  H01L31/04 Z
F-Term (17)：
4K044AA12 ,  4K044AA16 ,  4K044AB10 ,  4K044BA12 ,  4K044BB03 ,  4K044BC05 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA53 ,  4K044CA62 ,  5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032BB02 ,  5H032HH01 ,  5H032HH02 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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