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J-GLOBAL ID：200903089843594740

半導体電極の製造方法及び光化学電池

Inventor： 中林 正仁 ,  中田 安一
Applicant, Patent owner： リンテック株式会社
Agent (1)： 平木 祐輔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001081271
Publication number (International publication number)：2002280327
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 製造が容易で低コストであり、焼成工程を行わなくてもよい半導体電極の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 有機チタネートを含む酸化物半導体分散液を基板に塗布し、次いで加水分解処理することを特徴とする半導体電極の製造方法。

Claim (excerpt)：

有機チタネートを含む酸化物半導体分散液を基板に塗布し、次いで加水分解処理することを特徴とする半導体電極の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (4)：

H01L 21/288 M ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (14)：

4M104AA10 ,  4M104BB06 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104GG05 ,  5F051FA06 ,  5F051FA11 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-267027   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 光電変換素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-041535   Applicant：富山県, 富山軽金属工業株式会社, 中越合金鋳工株式会社, 株式会社タナカエンジニアリング
• 色素増感型太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-132363   Applicant：出光興産株式会社
• 金属酸化物薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-307565   Applicant：藤森工業株式会社
• 光電変換素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-030014   Applicant：日本電気株式会社
• 光電変換膜、光電変換用電極、および光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-262466   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 色素増感型光半導体およびそれを用いた色素増感型太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-101567   Applicant：出光興産株式会社
• 金属酸化物薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-051604   Applicant：株式会社トクヤマ