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J-GLOBAL ID:200903059107398147
テラヘルツ帯複素誘電率測定装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平山 一幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999196723
Publication number (International publication number):2001021503
Application date: Jul. 09, 1999
Publication date: Jan. 26, 2001
Summary:
【要約】【課題】 インコヒーレント光の揺らぎに基づいて同期信号を検出するとともに、短い時間スケールでのランダムな強度変調を含む光であるインコヒーレント光により発生した電磁波を試料に照射してその試料の特性を検出するテラヘルツ帯複素誘電率測定装置を提供する。【解決手段】 インコヒーレント光であるレーザー光をビームスプリッタ2で分割し、一方のレーザー光3を電磁波放射用光伝導素子6に照射して電磁波10を放射する。これを放物面鏡9で平行化して試料12を透過又は反射させる。この検出すべき電磁波を放物面鏡14により電磁波検出用光伝導素子7に集めるとともに、分割した他方のレーザー光4を時間遅延化して照射する。検出すべき電磁波とインコヒーレント光であるレーザー光4との相互相関信号を電流として検出する。
Claim (excerpt):
分割した一方のインコヒーレント光と、この一方のインコヒーレント光に基づき発生する電磁波と、分割した他方のインコヒーレント光とを有し、上記電磁波が試料を透過又は反射してきた検出すべき電磁波を、上記他方のインコヒーレント光の揺らぎに基づいて同期した相互相関信号を用いて検出する、テラヘルツ帯複素誘電率測定装置。
IPC (6):
G01N 22/00
, G01J 9/02
, G01N 21/00
, G01N 21/41
, G01R 23/16
, G01R 27/26
FI (8):
G01N 22/00 F
, G01N 22/00 W
, G01N 22/00 X
, G01J 9/02
, G01N 21/00 B
, G01N 21/41 Z
, G01R 23/16 C
, G01R 27/26 H
F-Term (21):
2G028AA03
, 2G028CG09
, 2G028CG12
, 2G028CG15
, 2G028DH15
, 2G028DH17
, 2G028FK02
, 2G028GL06
, 2G059AA03
, 2G059EE01
, 2G059EE02
, 2G059EE15
, 2G059GG01
, 2G059GG02
, 2G059GG06
, 2G059GG10
, 2G059JJ14
, 2G059JJ22
, 2G059JJ24
, 2G059LL01
, 2G059MM01
Patent cited by the Patent:
Article cited by the Patent:
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