Pat
J-GLOBAL ID：200903059150983207
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003332037
Publication number (International publication number)：2005101212
Application date： Sep. 24, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】発光ダイオードの耐久性(耐熱性や静電耐圧)を向上させ、更には、発光ダイオードの信頼性や寿命などを改善すること。【解決手段】絶縁膜130は、炭化シリコン(SiC)をスパッタ又は蒸着によって形成したものであり、n型半導体層103の露出穴底面103aを形成する際に、同時に露出した半導体層の側壁面Cの略全面にわたって成膜されている。即ち、負電極120を囲う3方3面の側壁面Cの何れにも、絶縁膜130が形成されている。更に、絶縁膜130の裾は、透光性金属層106上や負電極120上にまで及んでいる。SiCは、数百°C程度の発光ダイオードの実際の作動環境において、非常に高い熱伝導率を示すので、大きな放熱効果が得られる。このため、従来、素子の正負両電極間で、局所的に発生していた破壊が生じ難くなるので、素子の耐久性や信頼性を効果的に向上させることができる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
結晶成長基板上に III族窒化物系化合物半導体を結晶成長させることによって積層される半導体層を複数層有する半導体発光素子であって、
少なくとも、
正負両電極間の一帯に位置する前記半導体層の側壁面上か、又は、
エッチングによって露出された前記半導体層の側壁面上
の略全面に、
炭化シリコン(SiC)、ゲルマニウム(Ge)、シリコンゲルマニウム(SiGe)、炭化ゲルマニウム(GeC)、シリコンゲルマニウムカーボン(SiGeC)、シリコン(Si)、炭素(C)、窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al2 O3 )、窒化ホウ素(BN)、ベリリア(BeO)、または酸化亜鉛(ZnO)から成る絶縁膜が形成されている
ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (17)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA33
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA22
, 5F041CA34
, 5F041CA47
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CB15
, 5F041DA04
, 5F041DA09
Cited by applicant (2)
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半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-244322
Applicant：株式会社東芝
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発光素子と発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-284073
Applicant：三洋電機株式会社
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