半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997244322
Publication number (International publication number)：1998135519
Application date： Sep. 09, 1997
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】サージ耐圧が高く信頼性の高い半導体素子を提供する。【解決手段】 p側とn側電極の間に付加的な容量部とを形成した構造である。具体的にはサファイア基板101上のn型GaN半導体層102,GaN系活性層103およびp側GaN系半導体層103を有するLEDにおいて、n型GaN系半導体層の上にn側電極105を形成し、その上に絶縁膜106を介して、p側GaN系半導体層の上部から延長して形成された電極配線部108が配置され、キャパシタを構成している。

Claim (excerpt)：

p側電極とn側電極とを具備する半導体発光素子であって、該p側電極とn側電極との間に付加的な容量部を構成したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-125033 Applicant：豊田合成株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-185340 Applicant：豊田合成株式会社
特開平4-159784

Show all

Return to Previous Page