半導体レーザ素子とその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996068394
Publication number (International publication number)：1997237935
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】腐食性ガスを用いずに歩留まりよく製造できる光閉じ込め層を有する半導体レーザ素子とその製造方法を提供することが目的である。【解決手段】 n型クラッド層3と、このn型クラッド層3上に形成された活性層5と、活性層5上に形成されたリッジ部7bを有するp型クラッド層7と、p型クラッド層7上に形成されたn型光閉じ込め層10と、層厚0.4μm以下のn型電流ブロック層11と、を備える。

Claim (excerpt)：

第1導電型のクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された電流通路となるストライプ状リッジ部を有する前記第1導電型とは逆導電型となる第2導電型のクラッド層と、該リッジ部の側面上を覆うように前記第2導電型のクラッド層上に形成された該第2導電型のクラッド層より屈折率が小さく且つ発振光のエネルギーより大きなエネルギーのバンドギャップを有するAlを含有してなる光閉じ込め層と、該光閉じ込め層上に形成された酸化防止層としての第1導電型の電流ブロック層と、を備え、前記第1導電型の電流ブロック層の層厚が0.4μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-149738 Applicant：日本電気株式会社
レーザーダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-055692 Applicant：三菱化成株式会社

Cited by examiner (2)

半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-149738 Applicant：日本電気株式会社
レーザーダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-055692 Applicant：三菱化成株式会社

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