被処理基板の加圧ガス処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安田敏雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998084215
Publication number (International publication number)：1999283982
Application date： Mar. 30, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体ウェーハの気孔を高温高圧ガス炉で加圧埋込み処理するときの効率を良くする。【解決手段】被処理基板を高温高圧ガス炉内に装入する工程と、その後高温高圧ガス炉内を実質的に不活性なガス雰囲気にする工程と、このガス雰囲気を大気圧以上の高圧とする工程と、ガス雰囲気の圧力を所定の圧力まで昇圧する工程と、この昇圧工程と同時もしくは前記高圧工程の後ガス雰囲気を所定の温度に昇温する昇温工程と、を少なくとも含むものである。

Claim (excerpt)：

高温高圧ガス炉を用いて半導体ウェーハ等の被処理基板を加圧ガス処理する方法において、被処理基板を高温高圧ガス炉内に装入する工程と、その後高温高圧ガス炉内を実質的に不活性なガス雰囲気にする工程と、このガス雰囲気を大気圧以上の高圧とする工程と、ガス雰囲気の圧力を所定の圧力まで昇圧する工程と、この昇圧工程と同時もしくは前記高圧工程の後ガス雰囲気を所定の温度に昇温する昇温工程と、を少なくとも含むことを特徴とする被処理基板の加圧ガス処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , B01J 3/02 , H01L 21/324

FI (4)：

H01L 21/88 K , B01J 3/02 C , B01J 3/02 E , H01L 21/324 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平3-222332
電極配線の製造方法及び処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-229723 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-225829

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Cited by examiner (6)

特開平3-222332
特開平3-222332
電極配線の製造方法及び処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-229723 Applicant：株式会社日立製作所

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