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J-GLOBAL ID：200903059325523166

有機半導体材料、それを用いた半導体装置及び電界効果トランジスタ

Inventor：
森 朋彦

About 森 朋彦

, 
竹内 久人

About 竹内 久人

, 
菊澤 良弘

About 菊澤 良弘


Applicant, Patent owner：
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所


Agent (2)： 吉田 研二 ,  石田 純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005196355
Publication number (International publication number)：2007019086
Application date： Jul. 05, 2005
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：
【課題】熱や酸化に対して安定した特性を有し、高いキャリア移動度を有するn型の有機半導体材料を実現する。【解決手段】下記一般式(1)等で示されるグラフェン骨格を有し、少なくとも1つの、1つ以上のフッ素原子を有する置換基を持つ有機半導体材料である。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
1つ以上のフッ素原子を有する置換基を少なくとも1つ有するグラフェン誘導体であることを特徴とする有機半導体材料。
IPC (4)：
H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  C07C 22/04 ,  H01L 51/30
FI (4)：
H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  C07C22/04 ,  H01L29/28 250H
F-Term (41)：
4H006AA01 ,  4H006AB91 ,  4H006FC56 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • n-型半導体を有する装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-215590   Applicant：ゼロックスコーポレイション
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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