n-型半導体を有する装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：吉田研二 , 石田純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004215590
Publication number (International publication number)：2005045266
Application date： Jul. 23, 2004
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：

【課題】有機コンプリメンタリ回路のn型成分として開発された材料は少なく、電子装置に好適なn型半導体材料の選択肢が狭かった。【解決手段】複数の電極と接触する半導体層を含む電子装置であって、前記半導体層は下記化1および化2に示される幾何異性体のどちらかまたは両方が存在する化合物を含み、【化1】 (トランス) 【化2】 (シス) 前記化1、および化2中、多環状部分のnは1、2、または3であり、R1およびR2は炭化水素環および複素環基からなる群から独立に選択され、R1およびR2は同じまたは異なる炭化水素環または複素環基、またはR1とR2の一つが炭化水素環でもう一つが複素環基であることを特徴とする電子装置。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

複数の電極と接触する半導体層を含む電子装置であって、前記半導体層は下記化1および化2に示される幾何異性体のどちらかまたは両方が存在する化合物を含み、

IPC (2)：

H01L51/00 , H01L29/786

FI (2)：

H01L29/28 , H01L29/78 618B

F-Term (32)：

5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

米国特許第6387727号明細書
米国特許出願公開第2002/0164835号明細書
米国特許第4587189号明細書

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Cited by examiner (6)

特開平3-008375
有機薄膜トランジスタ及び液晶素子と有機発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-274401 Applicant：松下電器産業株式会社
有機薄膜トランジスタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-345004 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

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