低窒素濃度炭素系材料及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梶良之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001382973
Publication number (International publication number)：2002249376
Application date： Dec. 17, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】グロー放電質量分析法による窒素濃度が100ppm以下の低窒素濃度炭素系材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】ハロゲンガス雰囲気下で高純度処理した炭素系材料を、圧力100Pa以下、1800°C以上で熱処理し、炭素系材料中の窒素を放出させた後、圧力100Pa以下若しくは希ガス雰囲気下において冷却を行う。

Claim (excerpt)：

グロー放電質量分析法による窒素濃度が100ppm以下である低窒素濃度炭素系材料。

IPC (4)：

C04B 35/52 , C23C 16/458 , C30B 15/10 , H01L 21/205

FI (4)：

C23C 16/458 , C30B 15/10 , H01L 21/205 , C04B 35/54 E

F-Term (22)：

4G032AA04 , 4G032AA21 , 4G032BA01 , 4G032BA04 , 4G032GA01 , 4G032GA19 , 4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077BE08 , 4G077CF10 , 4G077EG02 , 4G077HA12 , 4G077PD01 , 4K030BA37 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030KA47 , 4K030LA12 , 5F045AB02 , 5F045BB14 , 5F045EM09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

耐プラズマ性に優れたガラス状カーボン材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-118661 Applicant：東海カーボン株式会社
単結晶引上装置、高純度黒鉛材料及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-066023 Applicant：東洋炭素株式会社
特開平1-197363

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