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J-GLOBAL ID：200903059420282907

張り合わせ基板の製造方法

Inventor： 森田 悦郎 ,  川合 幸夫 ,  谷口 徹
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998056265
Publication number (International publication number)：1998303089
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ボイド発生を防ぎ、張り合わせ熱処理時間を短縮でき、過度の熱ストレス、汚染、OSFが発生しにくい張り合わせ基板の製造方法を提供する。【解決手段】 活性層用A板と支持用B板はともにSC1洗浄後、希HF洗浄(HF:H2O=1:50〜400)を施す。希HF洗浄によりウェーハ表面がいったんSi-F結合となる。Si-F結合は分極によりHFの攻撃を受け易い。よって、ウェーハ表面のSiはSiF4となって脱離し、ウェーハ表面はH基により終端される。次に、両鏡面を室温で重ね合わせた後、880〜1100°Cで20〜120分間張り合わせ熱処理を施す。Si表面はH基の終端のため、張り合わせ熱処理時にH2が生じ、その界面から抜けてしまう。張り合わせ熱処理時間を短縮でき、かつ、基板の汚染やOSFを排除できる。

Claim (excerpt)：

第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハとを準備する工程と、これらの第1のシリコンウェーハおよび第2のシリコンウェーハの各表面に希HF洗浄を施す工程と、第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハとを重ね合わせる工程と、この重ね合わせたシリコンウェーハ同士を880〜1100°Cで20〜120分間熱処理することにより、張り合わせ基板を製造する工程とを含む張り合わせ基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• SOI基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-052258   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-222635   Applicant：日本電装株式会社
• 特開平4-162630