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J-GLOBAL ID：200903059430057189

原子層のCVD

Inventor：
マルクレート・アルベルテイン・アン-マリー・バン・ウイーク

About マルクレート・アルベルテイン・アン-マリー・バン・ウイーク


Applicant, Patent owner：
エイエスエム・インターナシヨナル・エヌ・ブイ

About エイエスエム・インターナシヨナル・エヌ・ブイ


Agent (1)： 小田島 平吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001198085
Publication number (International publication number)：2002060947
Application date： Jun. 29, 2001
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 原子層めっき法による基材上への薄膜のめっき法を提供すること。【解決手段】 原子層めっきは複数のディスク型基材上に固い被膜を提供するために使用される。基材を炉中でボート中に離して入れ、めっき温度まで加熱する。炉内で基材をめっき温度が表面上に少なくとも2種類の反応物の凝縮を妨げるのに十分高いが少なくとも2種類の反応物それぞれの個別の有意な熱分解をもたらすほど高くないように少なくとも2種類の相互に反応性の反応物の交互の連続的パルスにさらす。
Claim (excerpt)：
複数のディスク型の基材上への固いフィルムの原子層めっき法であって、- 前記複数の基材を反応室内に垂直の間隔を空けた関係及び水平の配置で挿入すること、ここで前記基材はホールダー中に配置され、各基材は隣接の基材から離されており、そのホールダーは上方及び下方プレートそれぞれに固定された上端及び下端に少なくとも3本の垂直のカラムを含んでなり、そこで各カラムには前記ウェファーの縁部を受け入れるための相互に離されたくぼみが付いており、そしてそのホールダーはウェファーと一緒に反応室中に挿入され、そしてそこか取り出される、- 基材をめっき温度に加熱すること、- めっき温度が表面に少なくとも2種類の反応物の凝縮を防止するのに十分高く、しかし少なくとも2種類の反応物それぞれの有意な熱分解を個別にもたらすほど高くないように、その両側で前記基材それぞれを少なくとも2種類の相互反応性反応物の交互の連続的パルスに暴露すること、を含んでなる方法。
IPC (2)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/31
FI (2)：
C23C 16/44 A ,  H01L 21/31 B
F-Term (17)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EE02 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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