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J-GLOBAL ID:200903059560088531

酸化マグネシウム膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996135959
Publication number (International publication number):1997295894
Application date: May. 01, 1996
Publication date: Nov. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 配向性に優れ、結晶粒径が小さく緻密なMgO膜を得ること。【解決手段】 プラズマの存在下で真空蒸着法により基板上にMgO膜を形成するに際し、励起又は電離状態の水素を成膜雰囲気中に含ませる。
Claim (excerpt):
プラズマの存在下で真空蒸着法により基板上にMgO膜を形成するに際し、励起又は電離状態の水素原子を含む雰囲気中で成膜することを特徴とする酸化マグネシウム膜の製造方法。
IPC (5):
C30B 29/16 ,  C23C 14/08 ,  C30B 23/08 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/02
FI (5):
C30B 29/16 ,  C23C 14/08 J ,  C30B 23/08 P ,  H01J 9/02 F ,  H01J 11/02 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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