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J-GLOBAL ID：200903059568902386

基板の直接接合方法

Inventor： 片島 彰 ,  千葉 亜紀雄 ,  水野 成夫 ,  小泉 光次
Applicant, Patent owner： 日本電波工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999070533
Publication number (International publication number)：2000269106
Application date： Mar. 16, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【目的】1000°C以下特には水晶の転移温度である573°C以下の加熱処理によって直接接合を達成する。【構成】鏡面研磨された一方の基板の表面を親水面とし他方の基板の表面を疎水面として、両基板の表面同士を直接に重ね合わせて加熱処理して直接接合する。また、基板の主成分を珪素(Si)とする。

Claim (excerpt)：

鏡面研磨された一方の基板の表面を親水面とし他方の基板の表面を疎水面として、両基板の表面同士を直接に重ね合わせて加熱処理したことを特徴とする基板の直接接合方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  H01L 41/24 ,  H03H 3/02

FI (3)：

H01L 21/02 ,  H03H 3/02 B ,  H01L 41/22 A

F-Term (1)：

5J108MM11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 貼り合わせSOIウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-291847   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• 水晶振動子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-202631   Applicant：日本電波工業株式会社