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J-GLOBAL ID：200903059573576047

インジウム-スズ酸化物(ITO)フィルム及びその製造方法

Inventor：
クレッペル, アンドレーアス

About クレッペル, アンドレーアス

, 
トルーベ, ユッタ

About トルーベ, ユッタ


Applicant, Patent owner：
ウンアクシス ドイチェランド ゲーエムベーハー

About ウンアクシス ドイチェランド ゲーエムベーハー


Agent (1)： 山田 行一 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001582848
Publication number (International publication number)：2003532997
Application date： May. 04, 2001
Publication date： Nov. 05, 2003
Summary：
【要約】透明で導電性のインジウム-スズ酸化物(ITO)フィルムの堆積方法を提供する。前記インジウム-スズ酸化物フィルムは、200μΩcm未満の特に低い抵抗率及び基板上で好適には1nm未満の小さな表面粗さを有する。インジウム-スズ酸化物(ITO)ターゲットの組み合わされたHF/DCスパッタリングが使用される。前記スパッタリングの間、反応ガスとしてのアルゴン/水素混合物によって処理ガスが補充される。ITOフィルムは、上述の特性を有する。
Claim (excerpt)：
透明で導電性のインジウム-スズ酸化物(ITO)フィルムの堆積方法であって、 前記インジウム-スズ酸化物フィルムは、好適には200μΩcm未満の特に低い抵抗率及び基板上で好適には1nm未満の小さな表面粗さを有し、インジウム-スズ酸化物(ITO)ターゲットの組み合わされたHF/DCスパッタリングにより特徴付けられ、 前記スパッタリングの間、反応ガスとしてのアルゴン/水素混合物によって処理ガスが補充される、方法。
IPC (6)：
H01B 13/00 503 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 5/14 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28
FI (6)：
H01B 13/00 503 B ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 N ,  H01B 5/14 A ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28
F-Term (25)：
3K007AB08 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BC05 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA00 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 透明導電膜の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-195891   Applicant：株式会社シンクロン
  • 透明導電膜の成膜装置および成膜方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-118578   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開昭54-127598
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