多層酸化物薄膜素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996311900
Publication number (International publication number)：1997202606
Application date： Nov. 22, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】リーク電流が小さく、比誘電率が大きい酸化物薄膜をウエットプロセスで製造することができる酸化物薄膜素子、その製造方法の提供。【解決手段】混合金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液、または、複合金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液を、基板1上へ塗布することにより作製される一般式ABO3 (Aは周期律表IA族、IIA族、IIIA族、IVB族およびVB族の単数あるいは複数の元素、BはIVA族およびVA族の単数あるいは複数の元素)で示される酸化物薄膜を有する。この酸化物薄膜は少なくとも1層のアモルファス層4と少なくとも1層の結晶化層2とを有する多層構造である。この多層構造は、金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液を塗布し、熱処理して結晶化層2を形成する工程と、金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液を塗布し、熱処理してアモルファス層4を形成する工程と、を有する。

Claim (excerpt)：

複数の金属元素を含む混合金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液、または、複数の金属元素を含む複合金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液を、基板上へ塗布することにより作製される一般式ABO3 (Aは周期律表IA族、IIA族、IIIA族、IVB族およびVB族の単数あるいは複数の元素、BはIVA族およびVA族の単数あるいは複数の元素)で示される酸化物薄膜を有し、該酸化物薄膜が少なくとも1層がアモルファス層と少なくとも1層の結晶化層とを有する多層構造である多層酸化物薄膜素子の製造方法であって、第1の金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液を塗布し、熱処理して結晶化層を形成する工程と、第2の金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液を塗布し、熱処理してアモルファス層を形成する工程と、を有することを特徴とする多層酸化物薄膜素子の製造方法。

IPC (9)：

C01B 13/32 , C03C 17/34 , H01B 3/00 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 41/22

FI (6)：

C01B 13/32 , C03C 17/34 Z , H01B 3/00 F , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371 , H01L 41/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

強誘電体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-156456 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-229472
ゾルーゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法、及びその原料溶液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-113973 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 株式会社トリケミカル研究所

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