ポジ型レジスト材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中本宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992294009
Publication number (International publication number)：1994118651
Application date： Oct. 08, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた化学増幅型シリコーン系ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】一般式(化1):【化1】(式中x+m=1、x>0、n=1、2又は3)のシリコーンポリマー、及び一般式(化2):(R)p AM〔Rは同一又は異なり、(置換)芳香族基、AはS又はI、Mはトルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネート、p=2又は3)のオニウム塩を含有する、レジスト材料。

Claim (excerpt)：

下記一般式(化1):【化1】(式中x、mはx+m=1となる数でありxが0になることはない。またnは1〜3の正の整数である)で表されるシリコーンポリマー(A)、オニウム塩(B)の2成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該オニウム塩(B)が下記一般式(化2):【化2】(R)p AM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはトルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示し、pは2又は3を示す)で表されるオニウム塩であることを特徴とするレジスト材料。

IPC (7)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/075 511 , G03F 7/075 521 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-085859
特開平3-044645
酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-210073 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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