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J-GLOBAL ID：200903059668493360

フッ素含有誘電体を集積するための方法および材料

Inventor： アルフレッド・グリル ,  クリストファー・ヴィンセント・ヤーネス ,  ビシュヌバーイ・ヴィッタルバーイ・パテル ,  キャサリン・リン・ゼンガー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999223939
Publication number (International publication number)：2000082741
Application date： Aug. 06, 1999
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 フッ素化誘電絶縁層内のフッ素が相互接続構造内の他の材料と反応して不要なフッ素含有化合物を生成する際に生じる可能性のある問題を解消する。【解決手段】 1つまたは複数のフッ素化誘電絶縁層250と、導電ビア70、80によって電気的に接続された1つまたは複数の導電配線パターン層50、60とを備え、導電配線パターンおよびビアが、Ag、Al、Al-Ti、Co、Cr、Cu、In、Ir、Mg、Mn、Pd、Pt、Sn、それらの酸化物、窒化物、およびケイ化物、それらの混合物、Si含有DLC、ならびにSi-O含有DLCからなる群から選択された少なくとも1つのフッ素抵抗キャッピング材料によってフッ素化誘電絶縁層から完全に絶縁されることを特徴とする相互接続構造。

Claim (excerpt)：

1つまたは複数のフッ素化誘電絶縁層と、導電ビアによって電気的に接続された1つまたは複数の導電配線パターン層とを備え、前記導電配線パターンおよびビアが、Ag、Al、Al-Ti、Co、Cr、Cu、In、Ir、Mg、Mn、Pd、Pt、Sn、それらの酸化物、フッ化物、窒化物、およびケイ化物、それらの混合物、Si含有DLC、ならびにSi-O含有DLCからなる群から選択された少なくとも1つのフッ素抵抗キャッピング材料によって前記フッ素化誘電絶縁層から完全に絶縁されることを特徴とする相互接続構造。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/283

FI (2)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/283 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-235164   Applicant：日本電気株式会社
• 含フッ素誘電体を用いた金属配線構造及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-019933   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ