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J-GLOBAL ID：200903094392213457

含フッ素誘電体を用いた金属配線構造及びその製造方法

Inventor： カレン・メーフ ,  ミハイル・ロディオノビッチ・バクラノフ ,  セルジェ・ファンヘーレメーアスフ
Applicant, Patent owner： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999019933
Publication number (International publication number)：1999312682
Application date： Jan. 28, 1999
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 集積回路の金属多層配線等において、層間の誘電体には、回路遅延抑制の観点からは低誘電率である含フッ素誘電体の使用が好ましい。しかし、含フッ素誘電体から拡散するフッ素によって、金属配線等の導電性パターンが腐食や特性劣化を起す問題があった。【解決手段】 本発明の金属配線構造は、含フッ素誘電体と、導電性パターンの間に、フッ素と反応してフッ素の拡散障壁となるフッ化物を形成するバリア層を設けることにより、導電性パターンの腐食や特性劣化を防止する。

Claim (excerpt)：

導電性パターンと、含フッ素誘電体と、バリア層を備えた金属配線構造であって、上記バリア層が少なくとも上記導電性パターンと上記含フッ素誘電体に挟まれた領域に形成されており、当該領域において上記バリア層が導電性材料から成る第1の層と該導電性材料のフッ化物から成って上記含フッ素誘電体に接する第2の層から成ることを特徴とする金属配線構造。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/312

FI (3)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/312 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-212332   Applicant：株式会社東芝
• 接触ホール埋立方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-228549   Applicant：財団法人韓国電子通信研究所
• チップ及びパッケージの相互接続用銅合金ならびにその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-164895   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-243973   Applicant：株式会社東芝