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J-GLOBAL ID:200903059704344449
希土類含有金属酸化物薄膜の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
梶 良之
, 須原 誠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005077724
Publication number (International publication number):2006256916
Application date: Mar. 17, 2005
Publication date: Sep. 28, 2006
Summary:
【課題】 例えばUV光励起高効率蛍光膜等に有用な希土類含有金属酸化物薄膜を安定して製造できる方法を提供する。【解決手段】 液相析出法(LPD法)により基板上に希土類含有金属酸化物薄膜を直接析出させる。前記LPD法における反応溶液が、希土類イオンキレート錯体と金属フッ化物錯体とを混合する工程を含む方法で製造されている。上記反応溶液にフッ素イオン消費剤を添加することにより、前記基板上に希土類含有金属酸化物薄膜をLPD法により析出させる(選択図(a))。そして、生成した薄膜を高温加熱処理する(選択図(b)〜(d))。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
LPD法により基板上に希土類含有金属酸化物薄膜を直接析出させる、希土類含有金属酸化物薄膜の製造方法であって、
前記LPD法における反応溶液が、希土類イオンキレート錯体と金属フッ化物錯体とを混合する工程を含む方法で製造されており、
上記反応溶液にフッ素イオン消費剤を添加することにより、前記基板上に希土類含有金属酸化物薄膜をLPD法により析出させ、
生成した薄膜を高温加熱処理することを特徴とする、希土類含有金属酸化物薄膜の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (15):
4G042DA02
, 4G042DB03
, 4G042DB08
, 4G042DB22
, 4G042DB28
, 4G042DC03
, 4G042DD02
, 4G042DE03
, 4G042DE12
, 4G048AA01
, 4G048AB02
, 4G048AC03
, 4G048AC08
, 4G048AD06
, 4G048AE05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (7)
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酸化物イオン伝導体を用いた還元性ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-125436
Applicant:新コスモス電機株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-249866
Applicant:八尾健, ホーヤ株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-204362
Applicant:ホーヤ株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-029412
Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-298161
Applicant:財団法人新産業創造研究機構
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-274975
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Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-510743
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