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J-GLOBAL ID：200903059743998570

薄膜トランジスタおよび液晶表示装置

Inventor： 北村 一樹 ,  生田 茂雄 ,  河北 哲郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001169221
Publication number (International publication number)：2002368009
Application date： Jun. 05, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は薄膜トランジスタと液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置に関するものであり、性能に優れた薄膜トランジスタと液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 アンダーコート膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜およびパッシベーション膜にフッ素および窒素を1×1019cm-3から2×1020cm-3の範囲だけ取り込ませる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に、アンダーコート膜と、チャネル領域とドナーまたはアクセプタとなる不純物を含有するソース・ドレイン領域からなるシリコンを含む半導体薄膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース・ドレイン電極と、層間絶縁膜と、パッシベーション膜を少なくとも有する薄膜トランジスタにおいて、前記アンダーコート膜とシリコンを含む半導体薄膜とゲート絶縁膜と層間絶縁膜とパッシベーション膜のうち少なくとも一つの膜中のフッ素濃度および窒素濃度が1×1019cm-3から2×1020cm-3であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  G09F 9/35 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14

FI (9)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  G09F 9/35 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 626 C

F-Term (87)：

2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JB57 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA21 ,  2H092PA01 ,  3K007AB01 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094ED03 ,  5C094ED14 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD30 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN80 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-197258   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-107294   Applicant：三菱電機株式会社