薄膜トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996107294
Publication number (International publication number)：1997293793
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域と上層もしくは下層の導電層とのコンタクトを安定してとれる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体層3の一方端部は第1の導電層1a上に乗り上げてかつ第1の導電層1aに接しており、他方端部は第2の導電層1bに乗り上げてかつ第2の導電層1bに接している。半導体層3の中央部はゲート絶縁層5を介在してゲート電極層7と対向している。半導体層3は幅W1 が高さH1 より小さくなるように形成されている。

Claim (excerpt)：

互いに分離して設けられた第1および第2の導電層と、一方の端部が前記第1の導電層上に乗り上げてかつ前記第1の導電層に接しており、他方端部が前記第2の導電層上に乗り上げてかつ前記第2の導電層に接する半導体層と、前記一方端部と前記他方端部とに挟まれる中央部において前記半導体層の上面および両側面をゲート絶縁層を介在して覆うゲート電極層とを備え、前記半導体層の前記両側面によって規定される線幅は前記半導体層の膜厚よりも小さく、前記第1および第2の導電層の線幅は前記半導体層の前記線幅よりも大きい、薄膜トランジスタを有する半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/8244 , H01L 27/11 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L 27/10 381 , H01L 29/78 613 B , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 626 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平3-263873
特開平3-263873
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-195669 Applicant：三菱電機株式会社

Show all

Return to Previous Page