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J-GLOBAL ID：200903077278020418

薄膜トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法

Inventor： 前川 繁登 ,  一法師 隆志 ,  岩松 俊明
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996107294
Publication number (International publication number)：1997293793
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域と上層もしくは下層の導電層とのコンタクトを安定してとれる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体層3の一方端部は第1の導電層1a上に乗り上げてかつ第1の導電層1aに接しており、他方端部は第2の導電層1bに乗り上げてかつ第2の導電層1bに接している。半導体層3の中央部はゲート絶縁層5を介在してゲート電極層7と対向している。半導体層3は幅W1 が高さH1 より小さくなるように形成されている。

Claim (excerpt)：

互いに分離して設けられた第1および第2の導電層と、一方の端部が前記第1の導電層上に乗り上げてかつ前記第1の導電層に接しており、他方端部が前記第2の導電層上に乗り上げてかつ前記第2の導電層に接する半導体層と、前記一方端部と前記他方端部とに挟まれる中央部において前記半導体層の上面および両側面をゲート絶縁層を介在して覆うゲート電極層とを備え、前記半導体層の前記両側面によって規定される線幅は前記半導体層の膜厚よりも小さく、前記第1および第2の導電層の線幅は前記半導体層の前記線幅よりも大きい、薄膜トランジスタを有する半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 626 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開平3-263873
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-195669   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置の構造および製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-175407   Applicant：シャープ株式会社
• 三次元マルチチャンネル構造を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-027830   Applicant：三星電子株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227358   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-044173   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-333236   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開平3-064971