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J-GLOBAL ID：200903059790019318

酸化スズインジウムの反応性イオンエッチング方法

Inventor： レン-ユアン ツォウ
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994005825
Publication number (International publication number)：1994283481
Application date： Jan. 24, 1994
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 従来方法の欠点を有さない、基板上に堆積したITO 薄層の新規であり改善されたエッチング方法を提供する。【構成】 基板1上に堆積した酸化スズインジウム薄層3を、解離した臭化水素または、解離した臭化水素と解離した三塩化ホウ素との混合物を含むプラズマ中で反応性イオンエッチング処理する。

Claim (excerpt)：

酸化スズインジウムの層をプラズマ中で反応性イオンエッチング処理することを含む、基板上に堆積した酸化スズインジウムの薄層をエッチングする方法において、プラズマが解離した臭化水素を含むことを特徴とする酸化スズインジウム(ITO)の反応性イオンエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  C01G 19/00 ,  C23F 4/00 ,  G02F 1/1343

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-259184
  
• 特開平4-288828
  
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-149146   Applicant：松下電器産業株式会社
• ITOのエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303900   Applicant：株式会社日立製作所