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J-GLOBAL ID：200903059837169470

半導体面発光素子

Inventor：
中山 久志

About 中山 久志

, 
石野 正人

About 石野 正人


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000122720
Publication number (International publication number)：2001308457
Application date： Apr. 24, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：
【要約】【課題】 単一波長性にすぐれた低しきい値、高効率な半導体発光素子の構造を提供することを目的とする。【解決手段】 活性層4と、活性層4の近傍に形成されたフォトニック結晶2とを備え、フォトニック結晶2は、屈折率体2cを2次元に等間隔に並べて構成される第1の領域2aと、屈折率体2cの間隔とは異なる間隔で屈折率体2cを2次元に等間隔に並べて構成される第2の領域2bとを形成する。
Claim (excerpt)：
活性層と、前記活性層の近傍に形成されたフォトニック結晶とを有し、前記フォトニック結晶は、屈折率体を2次元に等間隔に並べて構成される第1の領域と、前記屈折率体の間隔とは異なる間隔で屈折率体を2次元に等間隔に並べて構成される第2の領域とを有することを特徴とする半導体面発光素子。
IPC (3)：
H01S 5/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (4)：
H01S 5/18 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 B ,  H01S 5/343
F-Term (16)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041EE01 ,  5F041EE23 ,  5F041EE25 ,  5F041FF14 ,  5F073AA51 ,  5F073AA66 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073AB16 ,  5F073CA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 半導体発光素子およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-068488   Applicant：株式会社イオン工学研究所
  • 面発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-136343   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開昭60-186083
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Cited by examiner (4)
  • 半導体発光素子およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-068488   Applicant：株式会社イオン工学研究所
  • 面発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-136343   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開昭60-186083
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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