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J-GLOBAL ID：200903059896219286

半導体素子のキャパシターの製造方法

Inventor： 李 起 正 ,  梁 洪 善
Applicant, Patent owner： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000385722
Publication number (International publication number)：2001237398
Application date： Dec. 19, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】 誘電体膜として用いられるTaON薄膜の漏洩電流及び誘電特性を改善させ得る半導体素子のキャパシターの製造方法を提供することである。【解決手段】 所定の下部パターンが形成され、層間絶縁膜で覆われた半導体基板を提供し、前記層間絶縁膜上にキャパシター下部電極を形成し、前記下部電極上に、誘電体膜としてTaON薄膜が形成されるように、非晶質状態のTaON薄膜を蒸着し、非晶質TaON薄膜を真空状態でアニーリングし、前記TaON薄膜からなった誘電体膜上にキャパシター上部電極を形成することからなる。

Claim (excerpt)：

所定の下部パターンが形成され、層間絶縁膜で覆われた半導体基板を提供する段階と、前記層間絶縁膜上にキャパシター下部電極を形成する段階と、前記下部電極上に、誘電体膜としてTaON薄膜が形成されるように、非晶質状態のTaON薄膜を蒸着し、非晶質TaON薄膜を真空状態でアニーリングする段階と、前記TaON薄膜からなった誘電体膜上にキャパシター上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体素子のキャパシターの製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5)：

H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 621 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• バイポーラトランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-052258   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-027061   Applicant：日本電気株式会社
• タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-072504   Applicant：ソニー株式会社