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J-GLOBAL ID：200903059911935821

高電圧MOSFET構造

Inventor： ジョン ニールソン
Applicant, Patent owner： ハリス コーポレイション
Agent (1)： 柏原 三枝子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998318826
Publication number (International publication number)：1999233759
Application date： Nov. 10, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 オン抵抗が低い高電圧MOSFETを提供する。【解決手段】 オン抵抗が低い高電圧MOSFETと高電圧MOSFETの特別なデバイスのブレークダウン電圧に対するオン抵抗を下げる方法。MOSFETは第1導電型のブロッキング層を具え、このブロッキング層は第2の導電型の縦型セクションを有している。または、ブロッキング層は、第1及び第2の導電型のセクションを交互に配置したものであっても良い。

Claim (excerpt)：

電圧支持領域を持つ半導体装置であって、水平層を具え、当該水平層が第1の導電型であって、ほぼ縦方向に延在する第2導電型セクションを具え、これらのセクションがほぼ同じ大きさを有し、好ましくはこのセクションが柱状であることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• パワーMOSFET
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-076503   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-004918   Applicant：富士電機株式会社

Cited by examiner (2)

• パワーMOSFET
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-076503   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-004918   Applicant：富士電機株式会社