Pat
J-GLOBAL ID:200903059990662193
半導体装置およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉武 賢次 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001384184
Publication number (International publication number):2003188373
Application date: Dec. 18, 2001
Publication date: Jul. 04, 2003
Summary:
【要約】【課題】 微細化してもpチャネルMOSFETの駆動力が低下するのを抑制することを可能にする。【解決手段】 n型のシリコン半導体領域2上に形成されるゲート絶縁膜6aと、このゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極8aと、このゲート電極直下の半導体領域に形成されるチャネル領域と、このチャネル領域の両側の半導体領域に形成されるp型のソースおよびドレイン領域20aと、チャネル領域とソースおよびドレイン領域との間の半導体領域に形成されソースおよびドレイン領域よりも不純物の濃度が低いp型の拡散層領域16a,16bと、拡散層領域内の表面近傍に形成される第1不純物領域14と、p型の拡散層領域の一部とソースおよびドレイン領域内の表面近傍に第1不純物領域よりも深く形成される第2不純物領域12と、を備え、第1および第2不純物領域は、ゲルマニウム、シリコン、ガリウム、インジウムの内の1つを不純物として含む。
Claim (excerpt):
n型のシリコン半導体領域上に形成されるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、このゲート電極直下の前記半導体領域に形成されるチャネル領域と、このチャネル領域の両側の前記半導体領域に形成されるp型のソースおよびドレイン領域と、前記チャネル領域と前記ソースおよびドレイン領域との間の前記半導体領域に形成され前記ソースおよびドレイン領域よりも不純物の濃度が低いp型の拡散層領域と、前記拡散層領域内の表面近傍に形成される第1不純物領域と、前記p型の拡散層領域の一部と前記ソースおよびドレイン領域内の表面近傍に前記第1不純物領域よりも深く形成される第2不純物領域と、を備え、前記第1および第2不純物領域は、ゲルマニウム、シリコン、ガリウム、インジウムの内の1つを不純物として含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 29/78
, H01L 21/265 604
FI (2):
H01L 21/265 604 G
, H01L 29/78 301 S
F-Term (24):
5F140AA21
, 5F140AA30
, 5F140AC01
, 5F140BA01
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BG08
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG38
, 5F140BG52
, 5F140BG53
, 5F140BG54
, 5F140BH05
, 5F140BH14
, 5F140BH22
, 5F140BK02
, 5F140BK03
, 5F140BK10
, 5F140BK13
, 5F140BK20
, 5F140BK21
, 5F140CB01
, 5F140CF07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
-
半導体デバイスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-110013
Applicant:三洋電機株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-234513
Applicant:松下電器産業株式会社
-
集積回路及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-319055
Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-024468
Applicant:富士通株式会社
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Cited by examiner (4)
-
半導体デバイスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-110013
Applicant:三洋電機株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-234513
Applicant:松下電器産業株式会社
-
集積回路及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-319055
Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-024468
Applicant:富士通株式会社
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