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J-GLOBAL ID：200903059999133088

ポリチオフェン類を用いたデバイス

Inventor： ベン エス オン ,  ルー ジアン ,  イリアン ウー ,  ダサラオ ケイ ムルチ
Applicant, Patent owner： ゼロックス・コーポレーション
Agent (1)： 吉田 研二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003006210
Publication number (International publication number)：2003264327
Application date： Jan. 14, 2003
Publication date： Sep. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 環境酸素によるドーピングを起こしにくく、溶液処理によって経済的に加工可能な半導体ポリマーを用いた電子的デバイスを提供する。【解決手段】 下記化11の構造式(I)を持つポリチオフェンを含む電子的デバイスである。【化11】式中、R及びR’は側鎖であり、Aは二価結合基であり、x及びyは非置換チエニレン単位の数を示し、zは0又は1であり、xとyとの和は0より大きく、mはセグメントの数を示し、nは重合度を示す。

Claim (excerpt)：

下記化1の構造式(I)を持つポリチオフェンを含む電子的デバイスであって、【化1】式中、R及びR’は側鎖であり、Aは二価結合基であり、x及びyは非置換チエニレン単位又はセグメントの数を示し、zは0又は1であり、xとyとの和は0より大きく、mはセグメントの数を示し、nは重合度を示すことを特徴とする電子的デバイス。

IPC (3)：

H01L 51/00 ,  C08G 61/12 ,  H01L 29/786

FI (3)：

C08G 61/12 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B

F-Term (54)：

4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA05 ,  4J032BA25 ,  4J032BB06 ,  4J032BC02 ,  4J032CA02 ,  4J032CA03 ,  4J032CA04 ,  4J032CA12 ,  4J032CA14 ,  4J032CB04 ,  4J032CB05 ,  4J032CD02 ,  4J032CD08 ,  4J032CE03 ,  4J032CG01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• 米国特許6,150,191号
  
• 米国特許6,107,117号
  
• 米国特許5,969,376号
  
• 米国特許5,619,357号
  
• 米国特許5,777,070号
  
• 有機薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-331398   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-003065   Applicant：ゼロックス・コーポレーション
• 導電性ポリマー/ヌクレオチドコポリマー、その製造方法及びその用途
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-521751   Applicant：シスバイオインターナショナル
• 置換ポリチオフェン、その製造及びその用途
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-531474   Applicant：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト

Cited by examiner (4)

• 有機薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-331398   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-003065   Applicant：ゼロックス・コーポレーション
• 導電性ポリマー/ヌクレオチドコポリマー、その製造方法及びその用途
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-521751   Applicant：シスバイオインターナショナル
• 置換ポリチオフェン、その製造及びその用途
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-531474   Applicant：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Journal of the American Chemical Society, 19950920, 第117巻第37号, 9551-9558頁
• Tetrahedron, 20010423, 第57巻第17号, 3785-3794頁

Cited by examiner (2)

• Journal of the American Chemical Society, 19950920, 第117巻第37号, 9551-9558頁
• Tetrahedron, 20010423, 第57巻第17号, 3785-3794頁