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J-GLOBAL ID：200903059999133088

ポリチオフェン類を用いたデバイス

Inventor：
ベン エス オン

About ベン エス オン

, 
ルー ジアン

About ルー ジアン

, 
イリアン ウー

About イリアン ウー

, 
ダサラオ ケイ ムルチ

About ダサラオ ケイ ムルチ


Applicant, Patent owner：
ゼロックス・コーポレーション

About ゼロックス・コーポレーション


Agent (1)： 吉田 研二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003006210
Publication number (International publication number)：2003264327
Application date： Jan. 14, 2003
Publication date： Sep. 19, 2003
Summary：
【要約】【課題】 環境酸素によるドーピングを起こしにくく、溶液処理によって経済的に加工可能な半導体ポリマーを用いた電子的デバイスを提供する。【解決手段】 下記化11の構造式(I)を持つポリチオフェンを含む電子的デバイスである。【化11】式中、R及びR’は側鎖であり、Aは二価結合基であり、x及びyは非置換チエニレン単位の数を示し、zは0又は1であり、xとyとの和は0より大きく、mはセグメントの数を示し、nは重合度を示す。
Claim (excerpt)：
下記化1の構造式(I)を持つポリチオフェンを含む電子的デバイスであって、【化1】式中、R及びR’は側鎖であり、Aは二価結合基であり、x及びyは非置換チエニレン単位又はセグメントの数を示し、zは0又は1であり、xとyとの和は0より大きく、mはセグメントの数を示し、nは重合度を示すことを特徴とする電子的デバイス。
IPC (3)：
H01L 51/00 ,  C08G 61/12 ,  H01L 29/786
FI (3)：
C08G 61/12 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B
F-Term (54)：
4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA05 ,  4J032BA25 ,  4J032BB06 ,  4J032BC02 ,  4J032CA02 ,  4J032CA03 ,  4J032CA04 ,  4J032CA12 ,  4J032CA14 ,  4J032CB04 ,  4J032CB05 ,  4J032CD02 ,  4J032CD08 ,  4J032CE03 ,  4J032CG01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 米国特許6,150,191号
  • 米国特許6,107,117号
  • 米国特許5,969,376号
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Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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