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J-GLOBAL ID：200903060073917318
高電気比抵抗磁気抵抗膜
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999307441
Publication number (International publication number)：2001094175
Application date： Sep. 22, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：
【要約】【目的】本発明は、室温においてMR比の値が3%以上の大きな磁気抵抗効果を示し、105μΩcm以上の電気比抵抗を有する高電気比抵抗磁気抵抗膜を提供することを目的とする。【構成】 フッ化物からなる絶縁物マトリックスにナノメーターサイズの磁性グラニュールが分散したナノグラニュラー合金薄膜であることを特徴とし、室温で3%以上の磁気抵抗比を示し105μΩcm以上の電気比抵抗を有する高電気比抵抗磁気抵抗膜。
Claim (excerpt)：
絶縁物マトリックスに、ナノメーターサイズの磁性グラニュールが分散したナノグラニュラー合金薄膜において、絶縁物マトリックスが、ベリリウム,マグネシウム,アルミニウム,カルシウムあるいはバリウムから選ばれる1種または2種以上の元素のフッ化物と不可避の不純物からなり、磁性グラニュールが鉄,コバルトあるいは鉄とコバルトとの合金と不可避の不純物からなることを特徴とし、室温で3%以上の磁気抵抗比を示し、且つ105μΩcm以上の電気比抵抗を有する高電気比抵抗磁気抵抗膜。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
2G017AD53
, 2G017AD55
, 2G017AD65
Cited by examiner (2)
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磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-118991
Applicant：株式会社東芝
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高電気抵抗を有する磁気抵抗膜
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-281232
Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
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