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J-GLOBAL ID:200903060139424210
カーボンナノチューブの合成方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
,
Agent (3):
平山 一幸
, 篠田 哲也
, 海津 保三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004133745
Publication number (International publication number):2005314161
Application date: Apr. 28, 2004
Publication date: Nov. 10, 2005
Summary:
【課題】 単層カーボンナノチューブのみ又は単層及び二層カーボンナノチューブのみを選択的に合成でき、且つ、大量に低コストで合成できるカーボンナノチューブの合成方法を提供する。【解決手段】 表面に酸化ケイ素膜22を有するSi基板21上に、膜厚を制御して遷移金属23を堆積し、均一なサイズ、且つ均一に島状に分布した遷移金属微粒子23を形成し、この基板を酸化処理し、遷移金属酸化物微粒子24を形成する。この基板を有機液体中に浸漬し、カーボンナノチューブの合成温度で加熱する。遷移金属の膜厚を6nm以下に制御すると、単層カーボンナノチューブのみを合成できる。遷移金属の膜厚を6nm以上で15nm以下に制御すると、単層及び二層カーボンナノチューブのみを合成できる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
触媒の基板への沈み込みを防止する沈み込み防止膜を基板表面に形成し、この沈み込み防止膜上に上記触媒の酸化物からなる触媒酸化物微粒子を島状に担持させ、この基板を有機液体中に浸漬し、カーボンナノチューブの合成温度に昇温する際に、上記触媒酸化物微粒子がクラスターに分解されると共に、このクラスターから上記触媒からなる微粒子が成長し、カーボンナノチューブの合成温度で加熱することにより、この生成した触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長することを特徴とする、カーボンナノチューブの合成方法。
IPC (2):
FI (2):
C01B31/02 101F
, B01J23/74 301M
F-Term (53):
4G069AA15
, 4G069BA02A
, 4G069BA02B
, 4G069BB04A
, 4G069BB04B
, 4G069BC29A
, 4G069BC66A
, 4G069BC66B
, 4G069BC67A
, 4G069BC68A
, 4G069CB35
, 4G069CC40
, 4G069DA05
, 4G069EA08
, 4G069EB19
, 4G069FA05
, 4G069FB02
, 4G069FB30
, 4G146AA11
, 4G146AA12
, 4G146AC03B
, 4G146AD23
, 4G146AD24
, 4G146AD25
, 4G146AD29
, 4G146AD30
, 4G146AD31
, 4G146AD37
, 4G146BA11
, 4G146BA49
, 4G146BC03
, 4G146BC08
, 4G146BC33B
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G169AA15
, 4G169BA02A
, 4G169BA02B
, 4G169BB04A
, 4G169BB04B
, 4G169BC29A
, 4G169BC66A
, 4G169BC66B
, 4G169BC67A
, 4G169BC68A
, 4G169CB35
, 4G169CC40
, 4G169DA05
, 4G169EA08
, 4G169EB19
, 4G169FA05
, 4G169FB02
, 4G169FB30
Patent cited by the Patent:
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