半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000297657
Publication number (International publication number)：2002110674
Application date： Sep. 28, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 SiO2膜のラジカル窒化(またはプラズマ窒化)では、Si基板界面付近の窒素濃度を抑制してMOSトランジスタの界面特性・駆動力を良好に保つという条件の下では、膜表面側に十分な量の窒素を導入できないために、ゲート・リーク電流を十分に下げられないという課題があった。【解決手段】ゲート絶縁膜(2)に窒素のSi基板(1)界面へのパイルアップを抑制しつつ、膜表面側に従来よりも多くの窒素を導入したもので、具体的には膜表面(電極界面側)付近の窒素濃度および膜密度が高く、Si基板界面付近の窒素濃度が低く、また、両者の間に、膜表面とSi基板界面との中間の窒素濃度を持つ領域が存在するシリコン酸窒化膜をゲート絶縁膜として使用する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板層と、その上に形成された絶縁膜層、およびその上に形成された導電性の電極を備えた半導体装置において、前記絶縁膜層がシリコン・酸素・窒素を含有し、その絶縁膜層の窒素濃度がシリコン基板層側界面は低く、電極側界面は多くなっており、前記シリコン基板層と電極の間に窒素濃度の中間領域を持つようにし、さらに前記絶縁膜層の電極側界面付近の膜密度が絶縁膜層の他の領域と比べて高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/318 C , H01L 29/78 301 G

F-Term (14)：

5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040ED03 , 5F040ED07 , 5F040EK05 , 5F058BD02 , 5F058BD03 , 5F058BD15 , 5F058BF55 , 5F058BF60 , 5F058BF62 , 5F058BF64 , 5F058BF73 , 5F058BF74

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

薄膜窒化珪素または酸化窒化珪素ゲート誘電体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-335805 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
絶縁膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-020363 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-152879 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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Cited by examiner (1)

薄膜窒化珪素または酸化窒化珪素ゲート誘電体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-335805 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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