薄膜窒化珪素または酸化窒化珪素ゲート誘電体の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997335805
Publication number (International publication number)：1998173187
Application date： Dec. 05, 1997
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】窒化物膜の障壁特性の利点を生かしつつ、また酸化物膜の電気的特性の利点をも有する膜を製造するための方法を提供する【解決手段】1つの表面を有する半導体基板を用意し、前記半導体基板の上に酸素含有層を形成し、前記酸素含有層を窒素を含むプラズマに曝して、前記窒素が前記酸素含有層の中に混入されるかまたは前記基板の前記表面部に窒化物層を形成させるようにする。

Claim (excerpt)：

誘電体層を形成するための方法であって、該方法が:半導体基板を用意し、該基板は1つの表面を有し;前記半導体基板の上に酸素含有層を形成し;そして前記酸素含有層を窒素を含むプラズマに曝して、前記窒素が前記酸素含有層の中に混入されるかまたは前記基板の前記表面部に窒化物層を形成させる、以上のステップを含む前記方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/318

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/318 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-140399 Applicant：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-155957 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-199333 Applicant：日本電気株式会社

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