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J-GLOBAL ID：200903060186369996

化学イメージセンサシステム

Inventor：
伊藤 善孝

About 伊藤 善孝


Applicant, Patent owner：
新電元工業株式会社

About 新電元工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000376339
Publication number (International publication number)：2002181773
Application date： Dec. 11, 2000
Publication date： Jun. 26, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 ケミカルイメージ信号の高速処理と装置の小型化、安価なケミカルイメージセンサを実現する。【解決手段】半導体基板上のMOS形デバイスのゲート膜上にセンサの感応部、参照電極、対極を設け、これらを電解質材料で被覆して成る化学センサにおいて、裏面照射による表面光電圧法(surface photo voltage: SPV)を用いた化学イメージセンサを構成するのに、多角形板状または円板状の半導体基板を用い、この半導体基板の一方の面上に化学種の感応部、参照電極、対極を設けさらにこれらを電解質材料で被覆してセンシング領域を設け、且つ上記基板の反対面を光遮蔽し規則的に光透過窓を多数設けて直流光で連続して順次照射することにより得られる局在的なケミカル信号から半導体基板上のケミカルイメージ像を得ることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上のMOS形デバイスのゲート膜上にセンサの感応部、参照電極、対極を設け、これらを電解質材料で被覆して成る化学センサにおいて、裏面照射による表面光電圧法(surface photo voltage: SPV)を用いた化学イメージセンサを構成するのに、多角形板状または円板状の半導体基板を用い、この半導体基板の一方の面上に化学種の感応部、参照電極、対極を設けさらにこれらを電解質材料で被覆してセンシング領域を設け、且つ上記基板の反対面を光遮蔽し規則的に光透過窓を多数設けて直流光で連続して順次照射することにより得られる局在的なケミカル信号から半導体基板上のケミカルイメージ像を得ることを特徴とする化学イメージセンサシステム。
IPC (3)：
G01N 27/414 ,  G01N 27/416 ,  G01N 27/00
FI (6)：
G01N 27/00 Z ,  G01N 27/30 301 X ,  G01N 27/30 301 U ,  G01N 27/46 U ,  G01N 27/46 351 A ,  G01N 27/46 353 F
F-Term (7)：
2G060AA09 ,  2G060AE01 ,  2G060AF01 ,  2G060AF15 ,  2G060AF20 ,  2G060EB08 ,  2G060KA16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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