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J-GLOBAL ID：200903060187488700

有機薄膜発光トランジスタ及びそれを用いた発光輝度制御方法

Inventor：
筒井 哲夫

About 筒井 哲夫

, 
安田 剛

About 安田 剛


Applicant, Patent owner：
株式会社産学連携機構九州

About 株式会社産学連携機構九州


Agent (1)： 苗村 新一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002082848
Publication number (International publication number)：2003282256
Application date： Mar. 25, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 有機EL素子と有機トランジスタを一体化し、特性を向上させる。基板上に占める発光部の比占有面積を改良した有機薄膜発光トランジスタを提供し、ゲート電圧を変化させるだけで素子の発光輝度を変調することができる発光輝度制御方法を提供する。【解決手段】 基板2と、基板2の一方の面に設けられたゲート電極3と、基板2のゲート電極3側の面に、少なくともゲート電極3を含む領域を覆うよう設けられたゲート絶縁薄膜層4と、ゲート絶縁薄膜層4の表面に形成された有機トランジスタ活性薄膜層5と、活性薄膜層5の表面に設けられた電極B7と、活性薄膜層5の表面に電極B7を包囲するように設けられたソース電極6と、少なくとも電極B7の一部を覆うように設けられた有機エレクトロルミネッセンス薄膜層8と、有機エレクトロルミネッセンス薄膜層8の表面に形成された電極A9とを具備することを特徴とする有機薄膜発光トランジスタ。
Claim (excerpt)：
基板と、基板の一方の面に設けられたゲート電極と、基板のゲート電極が形成された側の面に、少なくともゲート電極を含む領域を覆うよう設けられたゲート絶縁薄膜層と、ゲート絶縁薄膜層の表面に形成された有機トランジスタ活性薄膜層と、有機トランジスタ活性薄膜層の表面に設けられた電極Bと、有機トランジスタ活性薄膜層の表面に電極Bを包囲するように設けられたソース電極と、少なくとも電極Bの一部を覆うように設けられた有機エレクトロルミネッセンス薄膜層と、有機エレクトロルミネッセンス薄膜層の表面に形成された電極Aとを具備することを特徴とする有機薄膜発光トランジスタ。
IPC (9)：
H05B 33/14 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  G09G 3/20 624 ,  G09G 3/20 641 ,  G09G 3/20 642 ,  G09G 3/30 ,  H05B 33/08 ,  H05B 33/26
FI (9)：
H05B 33/14 A ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  G09G 3/20 624 B ,  G09G 3/20 641 D ,  G09G 3/20 642 D ,  G09G 3/30 K ,  H05B 33/08 ,  H05B 33/26 Z
F-Term (28)：
3K007AB02 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  3K007GA04 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD05 ,  5C080DD07 ,  5C080DD10 ,  5C080DD25 ,  5C080DD28 ,  5C080EE29 ,  5C080FF11 ,  5C080HH09 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06 ,  5C094AA10 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094CA20 ,  5C094DA14 ,  5C094EA04 ,  5C094FA01 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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