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J-GLOBAL ID：200903060205656616

半導体製造装置

Inventor： 城崎 友秀 ,  菊地 一夫 ,  平野 信介 ,  門村 新吾 ,  佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993300971
Publication number (International publication number)：1995130830
Application date： Nov. 05, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ウエハを極低温から高温までの広範囲で効率良く温度制御することができ、かつウエハ全面に均一に高周波を印加することができるようにする。【構成】 内部には冷媒が導入される中空室21を有しかつ上面が開口状態に形成されている温度制御槽20と、温度制御槽20の上部に配置されかつウエハSを静電吸着するための静電チャック11とからなる載置台10を備え、静電チャック11は、高周波印加用の電極14とヒータ13と静電吸着用の平板電極12とが絶縁体15を介して順次積層されると共にこれら全体が絶縁体15で被覆されてなり、かつ下面が温度制御槽20の上面の開口26を塞ぐ状態に配置されるようにする。

Claim (excerpt)：

内部には冷媒が導入される中空室を有しかつ上面が開口状に形成されてなる温度制御槽と、該温度制御槽の上部に配置されかつウエハを静電吸着するための静電チャックとからなる載置台を備え、前記静電チャックは、高周波印加用の電極とヒータと静電吸着用の平板電極とが絶縁体を介して順次積層されると共にこれら全体が前記絶縁体で被覆されてなり、かつ下面が前記温度制御槽の上面の開口を塞ぐ状態に配置されることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平1-200625
  
• プラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-231275   Applicant：株式会社日立製作所
• 静電チャック
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-354709   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社

Cited by examiner (3)

• 特開平1-200625
  
• プラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-231275   Applicant：株式会社日立製作所
• 静電チャック
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-354709   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社