Pat
J-GLOBAL ID：200903060247334414

トレンチゲートパワーMOSFET

Inventor：
リチャード・ケイ・ウィリアムズ

About リチャード・ケイ・ウィリアムズ


Applicant, Patent owner：
シリコニックス・インコーポレイテッド

About シリコニックス・インコーポレイテッド


Agent (1)： 大島 陽一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996160633
Publication number (International publication number)：1997102607
Application date： May. 31, 1996
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 保護拡散領域を有するとともにセル密度の向上された、改善されたトレンチゲートMOSFETを提供すること。【解決手段】 半導体材料と、半導体材料の表面に形成された溝の中に配置されたゲートと、保護拡散領域とを含むトレンチゲートパワーMOSFETであって、溝によって複数のMOSFETセルが画定され、MOSFETセルの各々は第1導電型のソース領域と前記ソース領域に隣接した第2導電型のボディ領域とを含んでおり、ソース領域とボディ領域は溝の側面に接しており、保護拡散領域は第2導電型であり、第1導電型の領域に隣接してダイオードを形成しており、ダイオードがMOSFETセルの各々のチャネル領域に対し並列に接続されていることを特徴とするMOSFETを提供する。
Claim (excerpt)：
半導体材料と、前記半導体材料の表面に形成された溝の中に配置されたゲートと、保護拡散領域とを含むトレンチゲートパワーMOSFETであって、前記溝によって複数のMOSFETセルが画定され、前記MOSFETセルの各々は第1導電型のソース領域と前記ソース領域に隣接した第2導電型のボディ領域とを含んでおり、前記ソース領域と前記ボディ領域は前記溝の側面に接しており、前記保護拡散領域は第2導電型であり、第1導電型の領域に隣接してダイオードを形成しており、前記ダイオードが前記MOSFETセルの各々のチャネル領域に対し並列に接続されていることを特徴とするMOSFET。
IPC (2)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/866
FI (3)：
H01L 29/78 657 B ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/90 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM